4月17日，三星電子正加速推進新一代高帶寬內存HBM4E的研發與量產準備，以持續強化其在高端人工智能內存領域的市場地位。

公司計劃于2026年5月啟動首批符合英偉達技術規范的HBM4E工程樣品的生產工作。根據內部時間表，其晶圓代工部門將于5月中旬前完成HBM4E基礎邏輯芯片（Base Die）的制造，并交付至存儲器業務部門，進入后續3D封裝環節。

該基礎邏輯芯片將與專為HBM4E定制的DRAM芯片共同封裝，形成完整的工程樣品。封裝完成后，三星將開展全面的內部性能驗證，確保各項關鍵指標滿足設計目標。通過內部評估后，樣品將提交至英偉達進行聯合測試與認證。

在技術路線上，HBM4E延續了HBM4的整體架構，DRAM芯片仍采用1c nm制程，基礎邏輯芯片維持4nm工藝節點。但三星在材料選擇、互連結構及熱管理等關鍵工藝環節實施了多項優化，以進一步提升數據傳輸效率、能效比與長期運行穩定性。